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下一代光刻机，台积电不雅望
（原标题：下一代光刻机，台积电不雅望）
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在半导体新元素的接纳方面，台积电多年来一直是前驱，并通常引颈潮水。但咫尺，该公司似乎将烧毁在其 A14 工艺中使用高数值孔径 EUV 光刻设立，而是接纳更传统的 0.33 数值孔径 EUV 技巧。这一音信是在数值孔径技巧辩论会上清楚的，台积电高档副总裁Kevin Zhang在会上书记了这一表现。由此不错详情地说，英特尔代工场和几家 DRAM 制造商咫尺在“技巧”上比台积电更具上风。
Kevin 暗示，台积电将不会使用High NA EUV光刻技巧来对A14芯片进行图案化，该芯片的坐褥策动于2028年运转。从2纳米到A14，咱们无用使用High NA，但咱们不错在处理步伐方面连续保执相通的复杂性。他指出，每一代技巧，咱们齐尽量减少掩模数目的加多。这关于提供经济高效的处置决议至关弥留。
台积电觉得高数值孔径 (NA) 对 A14 工艺卑不足说念的主要原因是，使用干系的光刻器用，这家台湾巨头的本钱可能会比传统的 EUV 步伐高出 2.5 倍，这最终将使 A14 节点的坐褥本钱大大擢升，这意味着其在破费居品中的运用将变得艰巨。这家台湾巨头依赖于芯片缱绻和产能，但这并不料味着该公司不会在昔时的工艺中接纳高数值孔径 EUV，因为它策动将其用于 A14P 节点。
High NA推高本钱的另一个原因是，台积电的A14芯片单层缱绻需要多个光罩，而使用最新的光刻器用只会举高本钱，却得不到太多平允。相背，通过专注于0.33 NA EUV，台积电不错使用多重曝光技巧来保执调换的缱绻复杂度，而无需High NA EUV的极高精度，最终斥责坐褥本钱。
意旨道理意旨道理的是，期权平台台积电烧毁HighNA EUV的决定，确乎使其在接纳最新器用方面逾期于英特尔代工场等公司，因为外传蓝队将在18A工艺中使用High NA，而该工艺瞻望最早来岁就会推出。由于A14P的成见是在2029年推出，台积电在接纳High NA方面将比同业至少晚四年，这一决定可能会让竞争敌手占据上风。
ASML 新增三家High NA EUV 客户
ASML 在其最新的收益电话会议上详备先容了其极紫外 (EUV) 光刻系统，强调跟着主要半导体客户接纳该系统，High NA 和低 NA 平台齐得回了逾越。
Fouquet 强调了高数值孔径 EUV 技巧的增长势头，并指出英特尔已在一个季度内曝光了卓绝 3 万片晶圆，收场了单层工艺步伐的大幅减少——从 40 步减少到 10 步以下。三星还论说称，在一个用例中，周期时刻缩小了 60%。
ASML 于第一季度录用了其第五台亦然终末一台 EXE:5000 高数值孔径系统，并将于第二季度运转录用后续的 EXE:5200。客户咫尺正处于以研发为重心的第一阶段运用，瞻望将于 2026 年至 2027 年间进行试坐褥（第二阶段），随后在先进节点的关节层上进行量产（第三阶段）。
在低数值孔径 (NA) 方面，ASML 的 NXE:3800E 系统现已全面出货，每小时可坐褥 220 片晶圆，比上一代 NXE:3600 快 30%。现存系统升级正在进行中，并将执续到 2025 年底。Fouquet 暗示，设立老练度现已援救先进逻辑和内存节点的深广量坐褥，无需惦记剩余 NXE:3600 系统的销售问题。
Dassen 阐发，低数值孔径 EUV 的平均售价 (ASP) 为 2.27 亿欧元（2.588 亿好意思元），由于居品组合原因略高于预期范畴。他提倡昔时混杂平均售价接近 2.2 亿欧元。低数值孔径系统的毛利率仍高于 ASML 的公司平均水平，但具体数字尚未线路。
https://wccftech.com/tsmc-is-skipping-high-na-euv-for-the-a14-process/
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